- Titre
- Tensile-Strained Ga1-xInxAs / GaSb Heterostructures for Mid-IR Applications
- Créateurs - sans rôle
- T. Taliercio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikA. Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 10th Mid-Infrared Optcal Materials and Devices International Conference (MIOMD-10) (Shanghai, China, 2010)
- Identifiants
- 9945132309311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01831106
Acte de colloque
Tensile-Strained Ga1-xInxAs / GaSb Heterostructures for Mid-IR Applications
10th Mid-Infrared Optcal Materials and Devices International Conference (MIOMD-10) (Shanghai, China, 2010)
Indicateurs
1 Consultations de la notice