- Titre
- THz emission from 2DEG GaN device
- Créateurs - sans rôle
- A. Penot - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Nouvel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Teppe - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CC. Consejo - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CN. Diakonova - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CW. Knap - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CY. Cordier - SES (Luxembourg)S. Chenot - SES (Luxembourg)M. Chmielowska - SES (Luxembourg)J-P. Faurie - Saint-GobainB. Beaumont - Saint-GobainP. Shiktorov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)E. Starikov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)V. Gružinskis - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)
- Colloque
- 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON) (Matsue, Japan, 2013)
- Identifiants
- 9963486209311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02454369
Acte de colloque
THz emission from 2DEG GaN device
18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON) (Matsue, Japan, 2013)
Indicateurs
1 Consultations de la notice