- Titre
- THz emission enhancement in FET/HEMT due to excess electrons in channel-under-gate regions
- Créateurs - sans rôle
- V. Gružinskis - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)P. Shiktorov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)E. Starikov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)A. Penot - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Nouvel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Santa Barbara, United States, 2011)
- Identifiants
- 9942135309311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02455717
Acte de colloque
THz emission enhancement in FET/HEMT due to excess electrons in channel-under-gate regions
17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Santa Barbara, United States, 2011)
Indicateurs
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