- Titre
- THz absorbers with Sb-III highly doped semiconductors based in plasmonic nano-resonators
- Créateurs - sans rôle
- F. Omeis - Université de Clermont-FerrandF. Gonzalez-Posada - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Smaali - Université de Clermont-FerrandE. CentenoT. Taliercio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conferences (NDMC) (Toulouse, France, 2016)
- Identifiants
- 99151997209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01903774
Acte de colloque
THz absorbers with Sb-III highly doped semiconductors based in plasmonic nano-resonators
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conferences (NDMC) (Toulouse, France, 2016)
Indicateurs
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