- Titre
- TCAD simulation of radiation-induced leakage current in SDRAM
- Créateurs - sans rôle
- Hoang Nguyen - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAxel Rodriguez - Syrlinks (FRANCE)Frédéric Wrobel - Institut d'Électronique et des SystèmesAlain Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrancoise Bezerra - Centre National d'Études SpatialesNathalie Chatry - TRAD [Labège]
- Colloque
- 29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2018) (Aalborg, Denmark, 01/10/2018)
- Identifiants
- 9945395009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02086412
Acte de colloque
TCAD simulation of radiation-induced leakage current in SDRAM
29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2018) (Aalborg, Denmark, 01/10/2018)
Indicateurs
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