- Titre
- TCAD prediction of dose effects on MOSFETs with ECORCE
- Créateurs - sans rôle
- A. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. DardiéFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IEST. MaraineF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. LorfèvreF. Bezerra
- Colloque
- IEEE RADECS (Genève, Switzerland, 2017)
- Identifiants
- 9935822209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01929250
Acte de colloque
TCAD prediction of dose effects on MOSFETs with ECORCE
IEEE RADECS (Genève, Switzerland, 2017)
Indicateurs
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