- Titre
- TCAD Simulations of Leakage Currents Induced by SDRAM Single-Event Cell Degradation
- Créateurs - sans rôle
- A. RodriguezFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. BezerraR. Ecoffet - Centre National d'Études SpatialesE. Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE RADECS 2016 (Brême, Germany, 2016)
- Identifiants
- 9945087409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01824785
Acte de colloque
TCAD Simulations of Leakage Currents Induced by SDRAM Single-Event Cell Degradation
IEEE RADECS 2016 (Brême, Germany, 2016)
Indicateurs
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