- Titre
- Study of Latent Defects Induced by Swift Heavy Ion Irradiation on MOS Devices Gate Oxide
- Créateurs - sans rôle
- M. Marinoni - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESD. ZanderC. PetitA.M.J.F. Carvalho - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Ramonda - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. WeulersseN. Buard - EADS, Corporate Research CenterT. Carriere - EADS, Corporate Research CenterE. Lorfèvre - Centre National d'Études Spatiales
- Colloque
- 45th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Tucson, United States, 2008)
- Identifiants
- 9941804309311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01822461
Acte de colloque
Study of Latent Defects Induced by Swift Heavy Ion Irradiation on MOS Devices Gate Oxide
45th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Tucson, United States, 2008)
Indicateurs
1 Consultations de la notice