Résumé
Study of Electrical and X-ray induced degradation in BiCMOS 55-nm SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
- Titre
- Study of Electrical and X-ray induced degradation in BiCMOS 55-nm SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
- Créateurs - sans rôle
- Menel Bouhouche - Larbi Ben M'hidi University of Oum El BouaghiAyenew Adebabay Belie - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESYasser Mansouri - Université de ConstantineBruno Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJérôme Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESTadec Maraine - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlain Hoffmann - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESMaya Lakhdarac - Université de ConstantinePascal Chevalier - STMicroelectronicsDaniel Gloria - STMicroelectronicsFabien Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- ESREF 2025 : 36th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2025 (Bordeaux, France, 06/10/2025–09/10/2025)
- Identifiants
- 99176518009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- French
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-05369208