- Titre
- Study for the electrical quality degradation of N-channel VDMOSFET transistor induced by gate oxide stress and junction hot carriers Injection
- Créateurs - sans rôle
- N. AbbouddC. Salame - Lebanese UniversityAlain Foucaran - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlain Hoffmann - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- Proceeding IEEE, ACTEA 2009 (Beyrouth, Lebanon, 2009)
- Identifiants
- 9942447209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01796910
Acte de colloque
Study for the electrical quality degradation of N-channel VDMOSFET transistor induced by gate oxide stress and junction hot carriers Injection
Proceeding IEEE, ACTEA 2009 (Beyrouth, Lebanon, 2009)
Indicateurs
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