- Titre
- Structural properties and strain relaxation mechanisms of MBE grown InSb quantum dots on GaSb substrates
- Créateurs - sans rôle
- B. SatpatiV. Tasco - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESN. Deguffroy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Trampert - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
- Colloque
- 2nd Int. Conference on Physics at Surfaces and Interfaces (PSI2009) (Puri, India, 2009)
- Identifiants
- 9946874009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01827627
Acte de colloque
Structural properties and strain relaxation mechanisms of MBE grown InSb quantum dots on GaSb substrates
2nd Int. Conference on Physics at Surfaces and Interfaces (PSI2009) (Puri, India, 2009)
Indicateurs
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