- Titre
- Strain relaxation mechanism in the MBE grown InSb/GaSb material system
- Créateurs - sans rôle
- B. SatpatiE. Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikA. Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikN. Deguffroy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESV. Tasco - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- International Symposium on Compound Semiconductors 2008 (ISCS2008) (Rust, Germany, 2008)
- Identifiants
- 9945207809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01826523
Acte de colloque
Strain relaxation mechanism in the MBE grown InSb/GaSb material system
International Symposium on Compound Semiconductors 2008 (ISCS2008) (Rust, Germany, 2008)
Indicateurs
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