- Titre
- Silicon carbide power MOSFETs under neutron irradiation: Failure In Time demonstration and long term reliability degradation evaluation
- Créateurs - sans rôle
- K. Niskanen - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESRosine Coq Germanicus - Laboratoire de Cristallographie et Sciences des MatériauxA. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESV. Pouget - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Girones - Direction des EnergiesS. Morand - Astrium [Toulouse]O. Crépel - Airbus Group Innovations [Toulouse]C. Weulersse - Airbus Group Innovations [Toulouse]C. Binois - Airbus Defence and Space [Les Mureaux]F. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 55th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (San Antonio, United States, 08/07/2019–12/07/2019)
- Identifiants
- 9939129409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02446823
Acte de colloque
Silicon carbide power MOSFETs under neutron irradiation: Failure In Time demonstration and long term reliability degradation evaluation
55th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (San Antonio, United States, 08/07/2019–12/07/2019)
Indicateurs
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