- Titre
- Schottky barrier 3C-SiC nanowire field effect transistor ECSCRM
- Créateurs - sans rôle
- K. RogdakisEdwige Bano - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueLaurent Montès - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueMikhael BechelanyD. Cornu - Université de Montpellier, Institut Européen des Membranes - IEMK. Zekentes - Institute of Electronic Structure and Laser
- Détails de publication
- European Conference on Silicon Carbide and Related, pp.613-616
- Colloque
- European Conference on Silicon Carbide and Related (Oslo, Norway, 2010–2010)
- Identifiants
- 9941906009311
- Unité académique
- Institut Européen des Membranes - IEM
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00604274
Acte de colloque
Schottky barrier 3C-SiC nanowire field effect transistor ECSCRM
European Conference on Silicon Carbide and Related, pp.613-616
European Conference on Silicon Carbide and Related (Oslo, Norway, 2010–2010)
2010
Indicateurs
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