SIMS Investigation of Ge and N Incorporation in 3C-SiC Layers Grown by VLS from Ge-Si Melts

Acte de colloque

Hervé Peyre, Nada Habka, Véronique Soulière, Maher Soueidan, Gabriel Ferro, Yves Monteil et Jean Camassel

Hetero-SiC'07 (Grenoble, France, 28/06/2007–29/06/2007)

Résumé

SIMS

VLS

3C-SiC

Ge

url

Find in HALAfficher

1 Consultations de la notice

Titre: SIMS Investigation of Ge and N Incorporation in 3C-SiC Layers Grown by VLS from Ge-Si Melts
Créateurs - sans rôle: Hervé Peyre - Groupe d'étude des semiconducteurs
Nada Habka - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Véronique Soulière - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Maher Soueidan - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Gabriel Ferro - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Yves Monteil - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Jean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
Colloque: Hetero-SiC'07 (Grenoble, France, 28/06/2007–29/06/2007)
Identifiants: 9941313009311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00389841