SIMS Investigation of Ge Incorporation in 3C-SiC Layers Grown from Ge-Si Melts

Acte de colloque

Hervé Peyre, Nada Habka, Véronique Soulière, Maher Soueidan, Gabriel Ferro, Yves Monteil et Jean Camassel

Materials Science Forum, Vol.556-557, pp.477-480

Materials Science Forum

6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Newcastle upon Tyne, United Kingdom, 09/2006)

09/2007

Résumé

Silicon carbides SiC

SIMS - Secondary Ion Mass Spectrometry

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Titre: SIMS Investigation of Ge Incorporation in 3C-SiC Layers Grown from Ge-Si Melts
Créateurs - sans rôle: Hervé Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Nada Habka - Université Claude Bernard Lyon 1
Véronique Soulière - Université Claude Bernard Lyon 1
Maher Soueidan - Université Claude Bernard Lyon 1
Gabriel Ferro - Université Claude Bernard Lyon 1
Yves Monteil - Université Claude Bernard Lyon 1
Jean Camassel - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Détails de publication: Materials Science Forum, Vol.556-557, pp.477-480
Colloque: 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Newcastle upon Tyne, United Kingdom, 09/2006)
Publications en série: Materials Science Forum
Identifiants: 9941626809311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-02042524