- Titre
- Room temperature operation of a GaInAsSb/AlGaInAsSb digital alloy laser diode at 3.3 µm
- Créateurs - sans rôle
- S. Belahsene - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESK. S. Gadedjisso-TossouG. Boissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Grech - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Narcy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESY. Rouillard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- European Workshop on Molecular-Beam Epitaxy (Euro-MBE 2011) (Alpe d’Huez, France, 2011)
- Identifiants
- 9943026409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01798395
Acte de colloque
Room temperature operation of a GaInAsSb/AlGaInAsSb digital alloy laser diode at 3.3 µm
European Workshop on Molecular-Beam Epitaxy (Euro-MBE 2011) (Alpe d’Huez, France, 2011)
Indicateurs
1 Consultations de la notice