- Titre
- Room temperature GaInAsSb/GaSb quantum well laser for tunable diode laser absorption spectroscopy around 2.35 µm
- Créateurs - sans rôle
- A. Vicet - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ.-C. NicolasF. Genty - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierY. Rouillard - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierE.M. SkouriA. N. Baranov - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierC. Alibert - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
- Colloque
- Mid-IR Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD) (Aachen, Germany, 1999)
- Identifiants
- 9942410909311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01793950
Acte de colloque
Room temperature GaInAsSb/GaSb quantum well laser for tunable diode laser absorption spectroscopy around 2.35 µm
Mid-IR Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD) (Aachen, Germany, 1999)
Indicateurs
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