- Titre
- Room temperature GaInAsSb/GaSb Quantum Well Laser for Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy around 2.35 µm
- Créateurs - sans rôle
- J.-C. NicolasY. Cuminal - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierY. Rouillard - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. N. Baranov - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierC. Alibert - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
- Colloque
- Mid-Infrared Optoelectronics and Devices (Prague, Czech Republic, 1998)
- Identifiants
- 9943035609311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01799466
Acte de colloque
Room temperature GaInAsSb/GaSb Quantum Well Laser for Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy around 2.35 µm
Mid-Infrared Optoelectronics and Devices (Prague, Czech Republic, 1998)
Indicateurs
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