- Titre
- Residual carrier concentration in InAs/GaSb superlattice structures to define optimized midwave infrared photodiode
- Créateurs - sans rôle
- L. Konczewicz - Groupe d'étude des semiconducteursSylvie ContrerasM. BajC. Cervera - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesJ.-P. Perez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Chaghi - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPhilippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- Exmatec Conference (Darmstadt, Germany, 2010)
- Identifiants
- 9937337409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01831030
Acte de colloque
Residual carrier concentration in InAs/GaSb superlattice structures to define optimized midwave infrared photodiode
Exmatec Conference (Darmstadt, Germany, 2010)
Indicateurs
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