- Titre
- Reduction of the growth inhibition and substrate oxidation during the first steps of alumina ALD on Si by an in situ N2-NH3 plasma surface pre-treatment
- Créateurs - sans rôle
- Giorgos Gakis - Laboratoire de Génie ChimiqueHugues Vergnes - Laboratoire de Génie ChimiqueFuccio Cristiano - Équipe Matériaux et Procédés pour la NanoélectroniqueConstantin Vahlas - Centre Interuniversitaire de Recherche et d’Ingénierie des MatériauxBrigitte Caussat - Laboratoire de Génie ChimiqueAndreas G. Boudouvis - National Technical University of AthensEmmanuel Scheid - Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique
- Colloque
- RafALD (Toulouse, France, 05/11/2019–07/11/2019)
- Identifiants
- 9939922809311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-04743574
Acte de colloque
Reduction of the growth inhibition and substrate oxidation during the first steps of alumina ALD on Si by an in situ N2-NH3 plasma surface pre-treatment
RafALD (Toulouse, France, 05/11/2019–07/11/2019)
Indicateurs
1 Consultations de la notice