- Titre
- Reducing defect density in the epitaxy of III-Vs on Silicon substrates
- Créateurs - sans rôle
- Audrey Gilbert - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESEric Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESGilles Patriarche - Laboratoire de Photonique et de NanostructuresC. Cornet - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationMichel Ramonda - Université de MontpellierLaurent Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESMaeva Fagot - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAchim Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikKarl Graser - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- ICG2025 (LECCE, Italy, 19/01/2025–22/01/2025)
- Note de subvention
- BPI France (project HYQUALITY- DOS0188007/00)
- Identifiants
- 9941000409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-04907295
Acte de colloque
Reducing defect density in the epitaxy of III-Vs on Silicon substrates
ICG2025 (LECCE, Italy, 19/01/2025–22/01/2025)
Indicateurs
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