- Titre
- Recombination dynamics of excitons in III-nitride layers and quantum wells
- Créateurs - sans rôle
- P Lefebvre - Groupe d'etudes des Semiconducteurs, CNRS, Université Montpellier II, CC 074, 34095 Montpellier, FranceJ Allegre - Groupe d'etudes des Semiconducteurs, CNRS, Université Montpellier II, CC 074, 34095 Montpellier, FranceH Mathieu - Groupe d'etudes des Semiconducteurs, CNRS, Université Montpellier II, CC 074, 34095 Montpellier, France
- Détails de publication
- Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.59(1-3), pp.307-314
- Colloque
- Papers presented at the European Materials Research Society 1998 Spring Meeting, Symposium L: Nitrides and Related Wide Band Gap Materials, June 16-19, 1998, Strasbourg, France
- Éditeur
- Elsevier
- Nombre de pages
- 8
- Note de subvention
- European Materials Research Society
- Identifiants
- 99147464109311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
Acte de colloque
Recombination dynamics of excitons in III-nitride layers and quantum wells
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.59(1-3), pp.307-314
Papers presented at the European Materials Research Society 1998 Spring Meeting, Symposium L: Nitrides and Related Wide Band Gap Materials, June 16-19, 1998, Strasbourg, France
06/05/1999
Indicateurs
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