- Titre
- Recent advances in the molecular beam epitaxy of GaSbBi alloys and quantum wells
- Créateurs - sans rôle
- O. Delorme - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Kudrawiec - Wroclaw University of Science and TechnologyE. Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikJ. Kopaczek - Wroclaw University of Science and TechnologyM. P. PolakM. Gladysiewicz - Wroclaw University of Science and TechnologyA. Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 20th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (MBE 2018) (Shanghai, China, 2018)
- Identifiants
- 9945754409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02078204
Acte de colloque
Recent advances in the molecular beam epitaxy of GaSbBi alloys and quantum wells
20th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (MBE 2018) (Shanghai, China, 2018)
2018
Indicateurs
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