- Titre
- Rapid thermal oxidation of 3C- and 4H-SiC using in-situ thermal cycling in nitrogen
- Créateurs - sans rôle
- Aurore Constant - Centro Nacional de MicroelectrónicaNicolas Camara - Centro Nacional de MicroelectrónicaPhilippe Godignon - Centro Nacional de MicroelectrónicaJean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteursJ.M. Decams - Qualifow-Jipelec
- Colloque
- International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
- Identifiants
- 9936576109311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00390763
Acte de colloque
Rapid thermal oxidation of 3C- and 4H-SiC using in-situ thermal cycling in nitrogen
International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
Indicateurs
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