Raman, low temperature photoluminescence and transport investigation of N-implanted 6H-SiC

P. Thomas; Sylvie Contreras; Sandrine Juillaguet; Jean-Louis Robert; Jean Camassel; J. Gimbert; T. Billon; C. Jaussaud

Acte de colloque

Raman, low temperature photoluminescence and transport investigation of N-implanted 6H-SiC

P. Thomas, Sylvie Contreras, Sandrine Juillaguet, Jean-Louis Robert, Jean Camassel, J. Gimbert, T. Billon et C. Jaussaud

SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2, Vol.264-2, pp.725-728

7th International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (ICSCIII-N 97) (STOCKHOLM (SWEDEN), France, 31/08/1997)

1998

Résumé

SiC

nitrogen implantation

electrical activation

We report a combined investigation of Raman, low temperature photoluminescence (LTPL) and high temperature transport measurements performed on nitrogen implanted p-type epitaxial layers of 6H-SiC.

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Détails

Titre: Raman, low temperature photoluminescence and transport investigation of N-implanted 6H-SiC
Créateurs - sans rôle: P. Thomas
Sylvie Contreras - Groupe d'étude des semiconducteurs
Sandrine Juillaguet - Groupe d'étude des semiconducteurs
Jean-Louis Robert - Groupe d'étude des semiconducteurs
Jean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
J. Gimbert
T. Billon
C. Jaussaud
Détails de publication: SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2, Vol.264-2, pp.725-728
Colloque: 7th International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (ICSCIII-N 97) (STOCKHOLM (SWEDEN), France, 31/08/1997)
Identifiants: 9946919409311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00543782