Raman Investigation of Heavily Al Doped 4H-SiC Layers Grown by CVD

Acte de colloque

Pawel Kwasnicki, Roxana Arvinte, Herve Peyre, Marcin Zielinski, Leszek Konczewicz, Sylvie Contreras, Jean Camassel et Sandrine Juillaguet

Material Sciences Forum, Vol.806, pp.51 - 55

HETEROSIC 2013 (nice, France, 06/2013)

10/2014

Résumé

Raman Investigation of Heavily Al Doped 4H-SiC Layers Grown by CVD

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Titre: Raman Investigation of Heavily Al Doped 4H-SiC Layers Grown by CVD
Créateurs - sans rôle: Pawel Kwasnicki - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Roxana Arvinte - SES (Luxembourg)
Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Marcin Zielinski - NOVASiC (France)
Leszek Konczewicz - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Sylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Jean Camassel - Laboratoire Charles Coulomb
Sandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Détails de publication: Material Sciences Forum, Vol.806, pp.51 - 55
Colloque: HETEROSIC 2013 (nice, France, 06/2013)
Identifiants: 9940475409311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01936666