- Titre
- Radiative lifetime in wurtzite GaN/AlN quantum dots.
- Créateurs - sans rôle
- Richard Bardoux - Groupe d'étude des semiconducteursT. Bretagnon - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Guillet - Groupe d'étude des semiconducteursP. Lefebvre - Groupe d'étude des semiconducteursT. Taliercio - Groupe d'étude des semiconducteursPierre Valvin - Groupe d'étude des semiconducteursB. Gil - Groupe d'étude des semiconducteursF. Semond - SES (Luxembourg)N. Grandjean - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsB. Damilano - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsAmélie Dussaigne - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsJean Massies - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
- Détails de publication
- Physica Statu Solidi (c), Vol.4
- Colloque
- International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLED06) (Montpellier, France, 15/05/2006–19/05/2006)
- Note de subvention
- ACI BUGATI
- Identifiants
- 9945509809311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00389911
Acte de colloque
Radiative lifetime in wurtzite GaN/AlN quantum dots.
Physica Statu Solidi (c), Vol.4
International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLED06) (Montpellier, France, 15/05/2006–19/05/2006)
08/01/2007
Indicateurs
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