- Titre
- Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation
- Créateurs - sans rôle
- A. Privat - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Bourdarie - ONERA - The French Aerospace Lab [Toulouse]N. Chatry - TRAD [Labège]G. Chaumont - STMicroelectronics
- Colloque
- Nuclear and Space Radiation Effects (NSREC) (San Francisco, United States, 2013)
- Identifiants
- 9946915709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01824642
Acte de colloque
Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation
Nuclear and Space Radiation Effects (NSREC) (San Francisco, United States, 2013)
Indicateurs
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