- Titre
- Polarized emission from a single GaN/AlN quantum dot : Experiment and theory
- Créateurs - sans rôle
- P. Lefebvre - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Guillet - Groupe d'étude des semiconducteursRichard Bardoux - Groupe d'étude des semiconducteursB. Gil - Groupe d'étude des semiconducteursT. Bretagnon - Groupe d'étude des semiconducteursT. Taliercio - Groupe d'étude des semiconducteursF. Semond - SES (Luxembourg)
- Colloque
- International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2008) (Montreux, Switzerland, 06/10/2008–10/10/2008)
- Note de subvention
- ACI BUGATI
- Identifiants
- 9964119509311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00389910
Acte de colloque
Polarized emission from a single GaN/AlN quantum dot : Experiment and theory
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2008) (Montreux, Switzerland, 06/10/2008–10/10/2008)
Indicateurs
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