- Titre
- Photoluminescence behavior of amber light emitting GaInN-GaN heterostructures
- Créateurs - sans rôle
- Thi Huong NgoDaniel Rosales - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CBernard Gil - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CPierre Valvin - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CBenjamin Damilano - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsKaddour Lekhal - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsPhilippe de Mierry - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
- Colloque
- GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES X (san francisco, United States, 2015)
- Identifiants
- 9936271709311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01238745
Acte de colloque
Photoluminescence behavior of amber light emitting GaInN-GaN heterostructures
GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES X (san francisco, United States, 2015)
2015
Indicateurs
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