Parasitic bipolar effect in advanced FD SOI MOSFETs: experimental evidence and gain extraction

Fanyu Liu; Irina Ionica; Mayline Bawedin; Sorin Cristoloveanu,

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Acte de colloque

Parasitic bipolar effect in advanced FD SOI MOSFETs: experimental evidence and gain extraction

Fanyu Liu, Irina Ionica, Mayline Bawedin et Sorin Cristoloveanu,

2014 EUROSOI Proceedings

10th EUROSOI Workshop (Tarrogona, Spain, 27/01/2014–29/01/2014)

Résumé

This work reports on experimental evidence of parasitic lateral bipolar effect in ultrathin and short fully-depleted (FD) SOI n-type MOSFETs. The relation between band-to-band tunnelling (BTBT) and bipolar effect is discussed. A simple method is proposed to extract the bipolar gain β and TCAD simulations validate its feasibility.

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Détails

Titre: Parasitic bipolar effect in advanced FD SOI MOSFETs: experimental evidence and gain extraction
Créateurs - sans rôle: Fanyu Liu - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
Irina Ionica - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
Mayline Bawedin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Sorin Cristoloveanu, - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
Détails de publication: 2014 EUROSOI Proceedings
Colloque: 10th EUROSOI Workshop (Tarrogona, Spain, 27/01/2014–29/01/2014)
Identifiants: 99112252709311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-02008226