- Titre
- Optimizing the shape of InAs/InP quantum dot-nanowires grown by MBE on silicon for efficient light sources emitting in the telecom band
- Créateurs - sans rôle
- Ali Jaffal - INL - Spectroscopies et NanomatériauxPhilippe Regreny - INL - Hétéroepitaxie et NanostructuresWalid Redjem - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CHai Son Nguyen - INL - NanophotoniqueSébastien Cueff - INL - NanophotoniqueXavier Letartre - INL - NanophotoniqueGilles Patriarche - Centre de Nanosciences et de NanotechnologiesEmmanuel Rousseau - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CGuillaume Cassabois - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CMichel Gendry - INL - Hétéroepitaxie et NanostructuresNicolas Chauvin - INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
- Colloque
- 20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (Lenggries, Germany, 17/02/2019–20/02/2019)
- Identifiants
- 9947030109311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02034960
Acte de colloque
Optimizing the shape of InAs/InP quantum dot-nanowires grown by MBE on silicon for efficient light sources emitting in the telecom band
20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (Lenggries, Germany, 17/02/2019–20/02/2019)
Indicateurs
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