Optical investigations and strain effect in AlGaN/GaN epitaxial layers

Acte de colloque

Open Access

M. Jayasakthi, Sandrine Juillaguet, Herve Peyre, Leszek Konczewicz, Matthieu Moret, Olivier Briot, K. Baskar et Sylvie Contreras

Journal of Physics Conference Series, Vol.864

33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (PEKIN, China, 2017)

2017

Résumé

Optical investigations and strain effect in AlGaN/GaN epitaxial layers

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https://doi.org/10.1088/1742-6596/864/1/012021Afficher

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Titre: Optical investigations and strain effect in AlGaN/GaN epitaxial layers
Créateurs - sans rôle: M. Jayasakthi - Université de Montpellier
Sandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Leszek Konczewicz - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Matthieu Moret - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Olivier Briot - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
K. Baskar - Anna University, Chennai
Sylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Détails de publication: Journal of Physics Conference Series, Vol.864
Colloque: 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (PEKIN, China, 2017)
Identifiants: 9936793609311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01935164