- Titre
- On the origin of threading dislocations during III-Sb epitaxy on Si(001)
- Créateurs - sans rôle
- M. NiehleJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESK. Madiomanana - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Trampert - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
- Colloque
- 19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (MBE2016) (Montpellier, France, 2016)
- Identifiants
- 9945262709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01903706
Acte de colloque
On the origin of threading dislocations during III-Sb epitaxy on Si(001)
19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (MBE2016) (Montpellier, France, 2016)
Indicateurs
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