- Titre
- On the origin of defects during III-Sb epitaxy on Si(001)
- Créateurs - sans rôle
- A. Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikM. NiehleH. DrubeJ.-B. Rodriguez - Institut d'Électronique et des SystèmesL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 2018 E-MRS Spring meeting, Symposium V (Strasbourg, France, 2018)
- Identifiants
- 9946066509311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02078642
Acte de colloque
On the origin of defects during III-Sb epitaxy on Si(001)
2018 E-MRS Spring meeting, Symposium V (Strasbourg, France, 2018)
Indicateurs
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