- Titre
- On a Method for Assessing the Electrical State of Gate Oxyde in Trench-Gated IGBTs
- Créateurs - sans rôle
- S. Baudon - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Notingher - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Agnel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- Mmde-IEEE Roms International Conference (Iasi, Romania, 2010)
- Identifiants
- 9946537209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01913765
Acte de colloque
On a Method for Assessing the Electrical State of Gate Oxyde in Trench-Gated IGBTs
Mmde-IEEE Roms International Conference (Iasi, Romania, 2010)
Indicateurs
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