Non-resonant terahertz detection in strained-Si modulation doped field effect transistors: first terahertz imaging

Acte de colloque

E. Garcia, Y. M. Meziani, J.E. Velasques, Dominique Coquillat, Nina Diakonova, Wojciech Knap, I. Grigelionis et K. Fobelets

Extended Abstract, pp.28P-30

International TeraNano &GDRI Workshop (Japan, 24/11/2010)

24/11/2010

Résumé

Non-resonant terahertz detection in strained-Si modulation doped field effect transistors: first terahertz imaging

url

Find in HALAfficher

1 Consultations de la notice

Titre: Non-resonant terahertz detection in strained-Si modulation doped field effect transistors: first terahertz imaging
Créateurs - sans rôle: E. Garcia
Y. M. Meziani - Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
J.E. Velasques
Dominique Coquillat - Groupe d'étude des semiconducteurs
Nina Diakonova - Groupe d'étude des semiconducteurs
Wojciech Knap - Groupe d'étude des semiconducteurs
I. Grigelionis
K. Fobelets
Détails de publication: Extended Abstract, pp.28P-30
Colloque: International TeraNano &GDRI Workshop (Japan, 24/11/2010)
Identifiants: 9937931709311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00814906