Nitrogen Incorporation during Seeded Sublimation Growth of 4H-SiC and 6H-SiC

Acte de colloque

Nikolaos Tsavdaris, Pawel Kwasnicki, Kanaparin Ariyawong, Nathalie Valle, Herve Peyre, Eirini Sarigiannidou, Sandrine Juillaguet et Didier Chaussende

Material Sciences Forum, Vol.821-823, pp.60 - 63

ECSCRM (Grenoble, France, 21/09/2014–25/09/2014)

06/2015

Résumé

Nitrogen Incorporation during Seeded Sublimation Growth of 4H-SiC and 6H-SiC

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Titre: Nitrogen Incorporation during Seeded Sublimation Growth of 4H-SiC and 6H-SiC
Créateurs - sans rôle: Nikolaos Tsavdaris - Institut polytechnique de Grenoble
Pawel Kwasnicki - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Kanaparin Ariyawong - Institut polytechnique de Grenoble
Nathalie Valle - Luxembourg Institute of Science and Technology
Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Eirini Sarigiannidou - Institut polytechnique de Grenoble
Sandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Didier Chaussende - Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique
Détails de publication: Material Sciences Forum, Vol.821-823, pp.60 - 63
Colloque: ECSCRM (Grenoble, France, 21/09/2014–25/09/2014)
Identifiants: 9944233109311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01936649