- Titre
- New scanning probe microscopy method for near-field imaging of the radiation intensity of semiconductor laser structures
- Créateurs - sans rôle
- P. A. Alekseev - Kurchatov InstituteM. S. DunaevskiyA. M. MonahovA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPascal Girard - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au SystèmeR. Teissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Titkov
- Colloque
- Nanostructures: Physics and Technology 22th International Symposium (St. Petersburg, Russia, 2014)
- Identifiants
- 99151996709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01903499
Acte de colloque
New scanning probe microscopy method for near-field imaging of the radiation intensity of semiconductor laser structures
Nanostructures: Physics and Technology 22th International Symposium (St. Petersburg, Russia, 2014)
Indicateurs
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