- Titre
- Monte Carlo simulation of low-frequency excess noise in InP MOSFETs/HEMTs at impact ionization conditions
- Créateurs - sans rôle
- P. Shiktorov - Institute of Semiconductor PhysicsV. Gruzinskis - Center for Physical Sciences and TechnologyP. StarikovC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 22nd ICNF International Conference on Noise and Fluctuations (Montpellier, France, 2013)
- Publications en série
- 2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2013
- Identifiants
- 9942079409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01927651
Acte de colloque
Monte Carlo simulation of low-frequency excess noise in InP MOSFETs/HEMTs at impact ionization conditions
2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2013
22nd ICNF International Conference on Noise and Fluctuations (Montpellier, France, 2013)
2013
Indicateurs
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