- Titre
- Monte Carlo simulation of THz noise and generation under electron cooling in wurtzite GaN MOSFET at room temperature
- Créateurs - sans rôle
- V. Gruzinskis - Institute of Semiconductor PhysicsP. Shiktorov - Institute of Semiconductor PhysicsE. Starikov - Institute of Semiconductor PhysicsH. Marinchio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- Proc. of 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.1-4
- Colloque
- 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Vilnius, Lithuania, 20/06/2017–23/06/2017)
- Publications en série
- Proc. of 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF)
- Identifiants
- 9942806809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02445104
Acte de colloque
Monte Carlo simulation of THz noise and generation under electron cooling in wurtzite GaN MOSFET at room temperature
Proc. of 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.1-4
Proc. of 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF)
2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Vilnius, Lithuania, 20/06/2017–23/06/2017)
2017
Indicateurs
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