- Titre
- Monte Carlo Simulation of THz Radiation Detection in GaN MOSFET n + nn + Channel with Uncentered Gate in n-region
- Créateurs - sans rôle
- C. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESV. Gružinskis - Institute of Semiconductor PhysicsE. Starikov - Institute of Semiconductor PhysicsP. Shiktorov - Institute of Semiconductor PhysicsS. AšmontasA. Sužiedelis
- Colloque
- The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Buffalo, United States, 2017)
- Identifiants
- 9944921809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02055360
Acte de colloque
Monte Carlo Simulation of THz Radiation Detection in GaN MOSFET n + nn + Channel with Uncentered Gate in n-region
The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Buffalo, United States, 2017)
22/10/2017
Indicateurs
1 Consultations de la notice