- Titre
- Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV substrates: Formation and burying of antiphase domains
- Créateurs - sans rôle
- A Gilbert - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-B Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM Rio Calvo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM Ramonda - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC Cornet - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationA Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikG Patriarche - Centre de Nanosciences et de NanotechnologiesE Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- The International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2022) (Sheffield, United Kingdom, 05/09/2022–09/09/2022)
- Identifiants
- 9940242509311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-04282768
Acte de colloque
Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV substrates: Formation and burying of antiphase domains
The International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2022) (Sheffield, United Kingdom, 05/09/2022–09/09/2022)
2022
Indicateurs
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