- Titre
- Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains.
- Créateurs - sans rôle
- Audrey Gilbert - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESMarta Rio Calvo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESMichel Ramonda - Université de Montpellier, Ingénierie, Caractérisation et Services - ICSLaurent Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Cornet - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationAchim Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikGilles Patriarche - Centre de Nanosciences et de NanotechnologiesEric Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 22nd International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE 2022) (Sheffield, United Kingdom, 04/09/2022)
- Identifiants
- 9940181109311
- Unité académique
- Ingénierie, Caractérisation et Services - ICS; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-03806222
Acte de colloque
Molecular beam epitaxy of III-V semiconductors on group-IV (001) substrates: Formation and burying of antiphase domains.
22nd International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE 2022) (Sheffield, United Kingdom, 04/09/2022)
Indicateurs
1 Consultations de la notice