- Titre
- Molecular-beam epitaxy of GaInSbBi alloys and QWs
- Créateurs - sans rôle
- Olivier Delorme - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESLaurent Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESEsperanza Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikAchim Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikEric Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors (Toulouse, France, 2019)
- Identifiants
- 9946123209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02327216
Acte de colloque
Molecular-beam epitaxy of GaInSbBi alloys and QWs
10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors (Toulouse, France, 2019)
Indicateurs
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