- Titre
- Modeling of the emission/noise temperature in MOSFET/HEMT structures
- Créateurs - sans rôle
- P. Shiktorov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)E. Starikov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)V. Gruzinskis - Center for Physical Sciences and TechnologyJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Nouvel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 22nd ICNF International Conference on Noise and Fluctuations (Montpellier, France, 2013)
- Identifiants
- 9942087209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01927638
Acte de colloque
Modeling of the emission/noise temperature in MOSFET/HEMT structures
22nd ICNF International Conference on Noise and Fluctuations (Montpellier, France, 2013)
Indicateurs
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