- Titre
- Modeling Dose Effects in Electronics Devices: Dose and Temperature Dependence of Power MOSFET
- Créateurs - sans rôle
- A. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Dhombres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Dusseau - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesR. Ecoffet - Centre National d'Études Spatiales
- Colloque
- ESREF 2013 (Arcachon, France, 2013)
- Identifiants
- 9946729009311
- Unité académique
- Centre Spatial de l'Université de Montpellier - CSUM; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01824655
Acte de colloque
Modeling Dose Effects in Electronics Devices: Dose and Temperature Dependence of Power MOSFET
ESREF 2013 (Arcachon, France, 2013)
Indicateurs
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