- Titre
- Model to Evaluate the High Temperature Irradiation Effect for Different Doses at a Given Dose Rate on NPN Bipolar Junction Transistors
- Créateurs - sans rôle
- Frédéric Saigné - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la CommunicationJ. Boch - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la CommunicationF. GiustinoR.D. Schrimpf - Vanderbilt UniversityL. Dusseau - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierT. MaurelK.F. GallowayR. Ecoffet - Centre National d'Études SpatialesJ. Fesquet - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. Gasiot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
- Colloque
- 39th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Phoenix, United States, 2002)
- Identifiants
- 99153592409311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01806719
Acte de colloque
Model to Evaluate the High Temperature Irradiation Effect for Different Doses at a Given Dose Rate on NPN Bipolar Junction Transistors
39th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Phoenix, United States, 2002)
Indicateurs
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