- Titre
- Model For High Temperature Radiation Effects in NPN Bipolar Junction Transistors
- Créateurs - sans rôle
- J. Boch - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF. Saigné - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierR. D. Schrimpf - Vanderbilt UniversityL. Dusseau - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ.-P. DavidK. F. GallowayJ. Fesquet - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. Gasiot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierR. Ecoffet - Centre National d'Études Spatiales
- Colloque
- Conférence IEEE-NSREC2002 (Phoenix, United States, 2002)
- Identifiants
- 9944396809311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02019332
Acte de colloque
Model For High Temperature Radiation Effects in NPN Bipolar Junction Transistors
Conférence IEEE-NSREC2002 (Phoenix, United States, 2002)
Indicateurs
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